HIKSEMI BY HIKVISION - Memoria SD / 128 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 Clase 10 / -25°C a 80°C / Anti-impactos

Memoria SDXC de 128 GB diseñada para aplicaciones de captura de video de alta intensidad en drones, cámaras de acción y equipos de grabación portátiles. Ofrece velocidades secuenciales de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, asegurando la integridad de la grabación 4K sin interrupciones ni caídas de frames. Cumple con los estándares V30, U3 y Clase 10 para rendimiento de video garantizado. Construida con memoria NAND TLC e implementación de wear leveling avanzado que optimiza la distribución del desgaste celular, extendiendo la vida útil operativa. Su encapsulado resiste condiciones ambientales severas, operando en rangos de temperatura de -25°C a 80°C, además de soportar impactos mecánicos, vibración continua, exposición a rayos X y campos magnéticos.Características GeneralesCapacidad: 128 GBVelocidad de lectura secuencial: 180 MB/sVelocidad de escritura secuencial: 150 MB/sClasificación de velocidad: V30, U3, Clase 10Formato: SDXCTipo de memoria: NAND TLCWear leveling avanzado integradoRango de temperatura operativa: -25°C a 80°CResistencia a impactos, vibración, rayos X y magnetismoAplicaciones recomendadas: Drones, cámaras de acción, grabación de video 4KDesempeñoCapacidad: 128 GBLectura secuencial: 180 MB/sEscritura secuencial: 150 MB/sClasificación V30Clasificación U3Clase 10Formato SDXCMemoria NAND TLCWear leveling avanzadoFísicas / AmbientalesTemperatura operativa: -25°C a 80°CResistencia a impactosResistencia a vibraciónResistencia a rayos XResistencia a campos magnéticosContenido del Paquete1x Memoria SD HIKSEMI CAPTURE E30 128 GB

Características

• Velocidad de lectura secuencial de 180 MB/s para transferencia rápida de archivos 4K
• Escritura sostenida de 150 MB/s sin pérdida de frames en grabación continua
• Certificación V30 U3 Clase 10 garantiza rendimiento 4K en drones y cámaras de acción
• Operación estable de -25°C a 80°C para condiciones climáticas extremas
• NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor longevidad de almacenamiento
• Resistencia a impactos, vibración, rayos X y campos magnéticos en campo abierto

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