HIKSEMI BY HIKVISION - Memoria microSDXC / 512 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 A2 / Resistencia -25°C a 85°C

Memoria microSDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de alta intensidad como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, con clasificación V30 U3 A2 que asegura la grabación continua de video 4K sin frames congelados ni interrupciones. La arquitectura NAND TLC incorpora wear leveling avanzado para distribuir el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y cuenta con resistencia certificada a agua, impactos, vibraciones, rayos X y campos magnéticos, garantizando la integridad de los datos en entornos hostiles.Características GeneralesCapacidad: 512 GBVelocidad de lectura secuencial: 180 MB/sVelocidad de escritura secuencial: 150 MB/sClase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10Tipo de memoria: NAND TLCWear leveling avanzadoRango de temperatura operativa: -25°C a 85°CResistencia: agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo, electricidad estáticaDesempeñoCapacidad: 512 GBLectura secuencial: 180 MB/sEscritura secuencial: 150 MB/sClase V30Clase U3Clase A2Clase 10Memoria NAND TLCWear leveling avanzadoFísicas y AmbientalesTemperatura operativa: -25°C a 85°CResistencia al aguaResistencia a golpes e impactosResistencia a vibracionesResistencia a rayos XResistencia al magnetismoResistencia a electricidad estáticaContenido del PaqueteMemoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 512 GB

Características

• 512 GB para grabación continua de video 4K sin interrupciones
• Velocidad A2 para ejecución fluida de aplicaciones móviles
• Operación estable de -25°C a 85°C en condiciones extremas
• Resistencia a agua, impactos, rayos X y campos magnéticos
• NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor longevidad
• Clase V30 U3 garantiza escritura sostenida sin frames perdidos

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